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MRF6S19140HSR3

更新时间： 2024-01-06 03:25:16
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE /
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12页 398K
描述
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF6S19140HSR3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.31.00.01
风险等级：5.73外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：68 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFP-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：225 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：530 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF6S19140HSR3 数据手册

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TYPICAL CHARACTERISTICS  
0
58  
57  
Ideal  
V
= 28 Vdc, P = 160 W (PEP), I = 1150 mA  
out DQ  
Two−Tone Measurements, Center Frequency = 1960 MHz  
DD  
P3dB = 53.1 dBm (204 W)  
P1dB = 52.3 dBm (171 W)  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
−10  
−20  
−30  
−40  
Actual  
3rd Order  
5th Order  
V
= 28 Vdc, I = 1150 mA  
DQ  
DD  
7th Order  
−50  
−60  
Pulsed CW, 8 µsec(on), 1 msec(off)  
Center Frequency = 1960 MHz  
0.1  
1
10  
100  
28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42  
TWO−TONE SPACING (MHz)  
P , INPUT POWER (dBm)  
in  
Figure 7. Intermodulation Distortion Products  
versus Tone Spacing  
Figure 8. Pulse CW Output Power versus  
Input Power  
50  
−20  
V
= 28 Vdc, I = 1150 mA  
DQ  
DD  
IM3  
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz  
2−Carrier N−CDMA, 2.5 MHz Carrier  
Spacing, 1.2288 MHz Channel  
Bandwidth, PAR = 9.8 dB  
−30  
40  
30  
20  
10  
η
D
−40  
ACPR  
@ 0.01% Probability (CCDF)  
T = 25°C  
C
−50  
G
ps  
−60  
−70  
0
1
10  
100  
P
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.  
out  
Figure 9. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3, Power Gain  
and Drain Efficiency versus Output Power  
70  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
17  
60  
G
ps  
16  
V
= 32 V  
DD  
50  
15  
14  
40  
30  
28 V  
13  
24 V  
12  
20 V  
11  
20  
10  
0
16 V  
10  
9
11  
10  
V
= 28 Vdc, I = 1150 mA  
DQ  
I
= 1150 mA  
f = 1960 MHz  
DD  
η
DQ  
D
f = 1960 MHz, T = 25°C  
C
12 V  
50  
8
0
100  
P , OUTPUT POWER (WATTS) CW  
out  
150  
200  
250  
1
10  
, OUTPUT POWER (WATTS) CW  
100  
300  
P
out  
Figure 11. Power Gain versus Output Power  
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency  
versus CW Output Power  
MRF6S19140HR3 MRF6S19140HSR3  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
6
1...3456789...12

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MRF6S19200H FREESCALE

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