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MRF5P20180HR6

更新时间： 2024-01-11 14:55:55
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器局域网
页数 文件大小 规格书
12页 364K
描述
RF Power Field Effect Transistor

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MRF5P20180HR6 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：5A991
HTS代码：8542.31.00.01风险等级：5.69
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：2
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：530 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF5P20180HR6 数据手册

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TYPICAL CHARACTERISTICS  
15  
14  
13  
40  
35  
30  
G
ps  
V
= 28 Vdc, P = 38 W (Avg.), I = 1600 mA  
out DQ  
DD  
η
D
12  
11  
25  
20  
2−Carrier W−CDMA, 10 MHz Carrier Spacing  
3.84 MHz Channel Bandwidth  
Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)  
10  
9
−20  
−25  
−10  
−15  
−20  
−25  
−30  
−35  
IRL  
8
7
−30  
−35  
IM3  
6
5
−40  
−45  
ACPR  
1840 1860 1880 1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040 20602080  
f, FREQUENCY (MHz)  
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance  
16  
15.5  
15  
−20  
V
= 28 Vdc  
f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz  
DD  
I
= 2400 mA  
DQ  
−25  
−30  
2000 mA  
1600 mA  
Two−Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing  
14.5  
14  
I
= 800 mA  
DQ  
−35  
−40  
2400 mA  
1200 mA  
800 mA  
13.5  
13  
−45  
−50  
12.5  
12  
V
= 28 Vdc  
f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz  
DD  
2000 mA  
1600 mA  
−55  
−60  
11.5  
11  
1200 mA  
Two−Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing  
1
10  
100  
1000  
1
10  
P , OUTPUT POWER (WATTS) PEP  
out  
100  
1000  
P
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP  
out  
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus  
Output Power  
Figure 5. Third Order Intermodulation  
Distortion versus Output Power  
−20  
58  
Ideal  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
P3dB = 54 dBm (251 W)  
−25  
−30  
3rd Order  
P1dB = 53.5 dBm (224 W)  
Actual  
−35  
−40  
−45  
−50  
5th Order  
7th Order  
V
= 28 Vdc, I = 1600 mA  
DQ  
DD  
46  
45  
44  
V = 28 Vdc, P = 180 W (PEP), I = 1600 mA  
Two−Tone Measurements, Center Frequency = 1960 MHz  
Pulsed CW, 5 µsec(on), 1 msec(off)  
Center Frequency = 1960 MHz  
DD  
out  
DQ  
−55  
−60  
0.1  
1
10  
100  
30  
32  
34  
36  
38  
40  
42  
44  
46  
TWO−TONE SPACING (MHz)  
P , INPUT POWER (dBm)  
in  
Figure 6. Intermodulation Distortion Products  
versus Tone Spacing  
Figure 7. Pulse CW Output Power versus  
Input Power  
MRF5P20180HR6  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
5
12345678...12

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