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MRF5S19060MBR1

更新时间： 2024-02-05 10:55:50
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
16页 496K
描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRF5S19060MBR1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-270包装说明：FLATPACK, R-PDFP-F4
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.05外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：L BAND
JEDEC-95代码：TO-270JESD-30 代码：R-PDFP-F4
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：218.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF5S19060MBR1 数据手册

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Document Number: MRF5S19060M  
Rev. 5, 5/2006  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Replaced by MRF5S19060NR1/NBR1. There are no form, fit or function changes with  
this part replacement. N suffix added to part number to indicate transition to lead-free  
terminations.  
MRF5S19060MR1  
MRF5S19060MBR1  
RF Power Field Effect Transistors  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs  
Designed for broadband commercial and industrial applications with  
frequencies from 1930 to 1990 MHz. The high gain and broadband  
performance of these devices make them ideal for large-signal, common-  
source amplifier applications in 28 Volt base station equipment.  
1990 MHz, 12 W AVG., 28 V  
2 x N-CDMA  
LATERAL N-CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
• Typical 2-carrier N-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 750 mA,  
P
out = 12 Watts Avg., Full Frequency Band. IS-95 (Pilot, Sync, Paging,  
Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR =  
9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.  
Power Gain — 14 dB  
Drain Efficiency — 23%  
IM3 @ 2.5 MHz Offset — -37 dBc in 1.2288 MHz Channel Bandwidth  
ACPR @ 885 kHz Offset — -51 dBc in 30 kHz Channel Bandwidth  
CASE 1486-03, STYLE 1  
TO-270 WB-4  
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1990 MHz, 12 Watts Avg.  
Output Power  
PLASTIC  
MRF5S19060MR1  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
• Internally Matched for Ease of Use  
• Integrated ESD Protection  
• 200°C Capable Plastic Package  
• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.  
CASE 1484-04, STYLE 1  
TO-272 WB-4  
PLASTIC  
MRF5S19060MBR1  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
-0.5, +65  
-0.5, +15  
DSS  
V
GS  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
218.8  
1.25  
W
W/°C  
C
D
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
- 65 to +175  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
Table 2. Thermal Characteristics  
(1)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
JC  
°C/W  
Case Temperature 75°C, 12 W CW  
0.80  
1. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2006. All rights reserved.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF5S19060MR1 FREESCALE

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 		RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19060NBR1 FREESCALE

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 		RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19060NR1 FREESCALE

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 		RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19060NR1_08 FREESCALE

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 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19090HR3 FREESCALE

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 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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