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MRF5S19060NBR1

更新时间： 2024-01-30 18:11:00
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频光电二极管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
16页 495K
描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRF5S19060NBR1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-272
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB-4, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.08
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：L BANDJEDEC-95代码：TO-272
JESD-30 代码：R-PDFM-F4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF5S19060NBR1 数据手册

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Document Number: MRF5S19060N  
Rev. 6, 5/2006  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs  
MRF5S19060NR1  
MRF5S19060NBR1  
Designed for broadband commercial and industrial applications with  
frequencies from 1930 to 1990 MHz. The high gain and broadband  
performance of these devices make them ideal for large-signal, common-  
source amplifier applications in 28 Volt base station equipment.  
• Typical 2-carrier N-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 750 mA,  
1930-1990 MHz, 12 W AVG., 28 V  
2 x N-CDMA  
P
out = 12 Watts Avg., Full Frequency Band. IS-95 (Pilot, Sync, Paging,  
Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR =  
9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.  
LATERAL N-CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
Power Gain — 14 dB  
Drain Efficiency — 23%  
IM3 @ 2.5 MHz Offset — -37 dBc in 1.2288 MHz Channel Bandwidth  
ACPR @ 885 kHz Offset — -51 dBc in 30 kHz Channel Bandwidth  
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1960 MHz, 12 Watts CW  
Output Power  
Features  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
• Internally Matched for Ease of Use  
• Integrated ESD Protection  
• 200°C Capable Plastic Package  
• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.  
• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.  
CASE 1486-03, STYLE 1  
TO-270 WB-4  
PLASTIC  
MRF5S19060NR1  
CASE 1484-04, STYLE 1  
TO-272 WB-4  
PLASTIC  
MRF5S19060NBR1  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
-0.5, +65  
-0.5, +15  
DSS  
V
GS  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
218.8  
1.25  
W
W/°C  
C
D
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
- 65 to +175  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
Table 2. Thermal Characteristics  
(1,2)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
JC  
°C/W  
Case Temperature 75°C, 12 W CW  
0.80  
1. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to access  
the MTTF calculators by product.  
2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2006. All rights reserved.  
1234567...16

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