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MRF5S19100HSR3

更新时间： 2024-02-08 14:04:27

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器
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描述
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF5S19100HSR3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.81	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	269 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF5S19100HSR3 数据手册

Document Number: MRF5S19100H

Rev. 4, 5/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from

1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier

applications.

MRF5S19100HR3

MRF5S19100HSR3

• Typical 2-Carrier N-CDMA Performance: V_DD= 28 Volts,

_DQ= 1000 mA, P_out= 22 Watts Avg., Full Frequency Band. IS-95 (Pilot,

Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth =

1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Power Gain — 13.9 dB

1930-1990 MHz, 22 W AVG., 28 V

2 x N-CDMA

Drain Efficiency — 25.5%

IM3 @ 2.5 MHz Offset — -36.5 dBc in 1.2288 MHz Channel Bandwidth

ACPR @ 885 kHz Offset — -50.7 dBc in 30 kHz Channel Bandwidth

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1960 MHz, 100 Watts CW

Output Power

Features

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Internally Matched for Ease of Use

• Qualified Up to a Maximum of 32 V_DDOperation

• Integrated ESD Protection

• Lower Thermal Resistance Package

• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.

• RoHS Compliant

CASE 465-06, STYLE 1

NI-780

MRF5S19100HR3

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch Reel.

CASE 465A-06, STYLE 1

NI-780S

MRF5S19100HSR3

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +65

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

269

1.54

W/°C

Storage Temperature Range

Case Operating Temperature

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

150

°C

stg

200

Table 2. Thermal Characteristics

(1)

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

Case Temperature 75°C, 100 W CW

Case Temperature 70°C, 22 W CW

°C/W

0.64

0.65

1. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7...12

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与MRF5S19100HSR3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MRF5S19100LSR3	MOTOROLA	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN	获取价格
MRF5S19130HR3	FREESCALE	Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.	获取价格
MRF5S19130HR3_06	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors	获取价格
MRF5S19130HSR3	FREESCALE	Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.	获取价格
MRF5S19130R3	MOTOROLA	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs	获取价格
MRF5S19130SR3	MOTOROLA	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs	获取价格

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