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MRF5P21180R6

更新时间： 2024-02-28 06:27:31

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RF Power Field Effect Transistor

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MRF5P21180R6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	5A991
HTS代码：	8542.31.00.01	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	437.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF5P21180R6 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF5P21180/D

The RF Sub–Micron MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFET

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ꢚ

Designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110

to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.

To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL applications.

2170 MHz, 180 W AVG.,

2 x W–CDMA, 28 V

LATERAL N–CHANNEL

RF POWER MOSFET

• Typical 2–carrier W–CDMA Performance for V_DD= 28 Volts,

I_DQ= 2 x 800 mA, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz,

Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Adjacent Channels Measured over

3.84 MHz BW @ f1 – 5 MHz and f2 + 5 MHz. Distortion Products

Measured over a 3.84 MHz BW @ f1 – 10 MHz and f2 + 10 MHz,

Each Carrier Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Output Power — 38 Watts Avg.

Power Gain — 14 dB

Efficiency — 25.5%

IM3 — 37.5 dBc

ACPR — –41 dBc

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

CASE 375D–04, STYLE 1

NI–1230

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 180 Watts CW

Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

• Qualified Up to a Maximum of 32 V_DDOperation

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

–0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

437.5

2.5

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +150

200

°C

stg

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 0

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF5P21180

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MRF5P21240HR6	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF5P21240R6	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5S19060MBR1	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19060MR1	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
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