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MRF5711

更新时间: 2024-02-23 07:47:24
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
4页 253K
描述
Transistor

MRF5711 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.82
其他特性:LOW NOISE外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.08 A基于收集器的最大容量:1 pF
集电极-发射极最大电压:10 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.33 W最大功率耗散 (Abs):0.58 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):8000 MHz
Base Number Matches:1

MRF5711 数据手册

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