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MRF559

更新时间: 2024-01-19 11:32:32
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 射频微波
页数 文件大小 规格书
5页 208K
描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

MRF559 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:DISK BUTTON, O-PRDB-F4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.74
最大集电极电流 (IC):0.15 A基于收集器的最大容量:3 pF
集电极-发射极最大电压:16 V配置:SINGLE
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-PRDB-F4
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MRF559 数据手册

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140 COMMERCE DRIVE  
MONTGOMERYVILLE, PA  
18936-1013  
PHONE: (215) 631-9840  
FAX: (215) 631-9855  
MRF559  
RF & MICROWAVE DISCRETE  
LOW POWER TRANSISTORS  
Features  
·
·
·
·
·
·
Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics  
Output Power = .5 W  
Minimum Gain = 8.0 dB  
Efficiency 50%  
Cost Effective Macro X Package  
Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability  
Macro X  
DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in the UHF frequency range.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
16  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mA  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
30  
3.0  
150  
Thermal Data  
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 75ºC  
Derate above 75ºC  
2.0  
20  
Watts  
mW/ ºC  
Storage Temperature Range  
Tstg  
-65 to +150  
ºC  
MSC1317.PDF 10-25-99  

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