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MRF559G

更新时间： 2024-09-25 21:07:07

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美高森美 - MICROSEMI		/
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5页	141K
描述
Transistor

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MRF559G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

MRF559G 数据手册

MRF559

MRF559G

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

* G Denotes RoHS Complaint, Pb Free Terminal Finish

Features

Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics

Output Power = .5 W

Minimum Gain = 8.0 dB

Efficiency 50%

Cost Effective Macro X Package

Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability

Macro X

DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in the UHF frequency range.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

3.0

150

Thermal Data

Total Device Dissipation @ TC = 75ºC

Derate above 75ºC

2.0

Watts

mW/ ºC

Storage Temperature Range

Tstg

-65 to +150

ºC

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

Rev A 9/2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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