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MRF19085LR3

更新时间： 2024-01-24 23:53:51

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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RF Power Field Effect Transistors

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MRF19085LR3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.3	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	273 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON

MRF19085LR3 数据手册

Document Number: MRF19085

Rev. 8, 5/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from

1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier

applications.

MRF19085LR3

MRF19085LSR3

• Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for V_DD= 26 Volts,

I_DQ= 850 mA, P_out= 18 Watts Avg., f1 = 1960 MHz, f2 = 1962.5 MHz

IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13)

1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. Adjacent Channels Measured

over a 30 kHz Bandwidth at f1 -885 Khz and f2 +885 kHz. Distortion

Products Measured over 1.2288 MHz Bandwidth at f1 -2.5 MHz and

f2 +2.5 MHz. Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Output Power — 18 Watts Avg.

1930-1990 MHz, 90 W, 26 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

Power Gain — 13.0 dB

Efficiency — 23%

ACPR — -51 dB

IM3 — -36.5 dBc

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 90 Watts CW

Output Power

Features

CASE 465-06, STYLE 1

NI-780

• Internally Matched for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

MRF19085LR3

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates

40μ″ Nominal.

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch Reel.

CASE 465A-06, STYLE 1

NI-780S

MRF19085LSR3

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Drain-Source Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

DSS

-0.5, +65

-0.5, +15

Gate-Source Voltage

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

273

1.56

W/°C

Storage Temperature Range

Case Operating Temperature

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

150

°C

stg

200

Table 2. Thermal Characteristics

(1)

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.79

°C/W

Table 3. ESD Protection Characteristics

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

1 (Minimum)

M3 (Minimum)

1. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

MRF19085LR3 MRF19085LSR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF19085LS	MOTOROLA	获取价格	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 465A-06, 3 PIN
MRF19085LSR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19085LSR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19085R3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19085S	MOTOROLA	获取价格	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 465A-06, 3 PIN
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