MRF158R

更新时间： 2024-02-28 22:32:06

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摩托罗拉 - MOTOROLA		射频
页数	文件大小	规格书
6页	97K
描述
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET

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MRF158R 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	其他特性：	TMOS
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (ID)：	0.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	16 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON

MRF158R 数据手册

TYPICAL CHARACTERISTICS

oss

iss

0.1

rss

0.5

= 0 V

0.2

0.1

f = 1 MHz

0.01

100

DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

DS,

Figure 2. Capacitance versus Drain–Source Voltage

Figure 3. DC Safe Operating Area

3.2

= 80 mW

2.8

2.4

f = 400 MHz

2.4

50 mW

500 MHz

1.6

1.2

1.6

1.2

0.8

0.4

20 mW

f = 400 MHz

= 28 V

= 100 mA

0.8

0.4

= 100 mA

100

, INPUT POWER (mW)

, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS))

Figure 4. Output Power versus Input Power

Figure 5. Output Power versus Voltage

Table 1. Typical Common Emitter S–Parameters

(Volts)

(mA)

(MHz)

100

1.00

0.98

0.93

0.88

0.83

0.79

0.75

0.73

0.72

0.71

–2.0

–7.0

–11

3.84

3.81

3.74

3.72

3.62

3.28

2.88

2.57

2.24

1.94

1.72

1.52

1.35

1.18

–179

179

174

170

159

137

120

104

0.003

0.004

0.011

0.018

0.034

0.061

0.077

0.088

0.090

0.084

0.077

0.067

0.055

0.043

8.0

2.0

–3.0

–6.0

–4.0

0.97

0.96

0.95

0.90

0.86

0.81

0.78

0.75

0.74

0.73

–2.0

–6.0

–9.0

–19

–35

–50

–63

–74

–84

–93

–99

–108

–114

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

–21

–41

–58

–75

–87

–99

–110

–120

–130

–139

MRF158

MOTOROLA RF DEVICE DATA

1 2 345 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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