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MRF1570FNT1

更新时间： 2024-02-09 13:12:36

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RF Power Field Effect Transistors

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MRF1570FNT1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, CASE 1366A-02, TO-272, 8 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	外壳连接：	DRAIN
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	40 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDFM-F8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	165 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF1570FNT1 数据手册

Table 5. Electrical Characteristics (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Zero Gate Voltage Drain Current

—

μA

DSS

(V = 60 Vdc, V = 0 Vdc)

On Characteristics

Gate Threshold Voltage

(V = 12.5 Vdc, I = 0.8 mAdc)

—

Vdc

GS(th)

Drain-Source On-Voltage

(V = 10 Vdc, I = 2.0 Adc)

—

DS(on)

Dynamic Characteristics

Input Capacitance (Includes Input Matching Capacitance)

—

500

250

iss

(V = 12.5 Vdc, V = 0 V, f = 1 MHz)

Output Capacitance

oss

(V = 12.5 Vdc, V = 0 V, f = 1 MHz)

Reverse Transfer Capacitance

(V = 12.5 Vdc, V = 0 V, f = 1 MHz)

rss

RF Characteristics (In Freescale Test Fixture)

Common-Source Amplifier Power Gain

—

11.5

—

(V = 12.5 Vdc, P = 70 W, I

= 800 mA)

f = 470 MHz

out

Drain Efficiency

(V = 12.5 Vdc, P = 70 W, I

= 800 mA)

out

MRF1570NT1 MRF1570FNT1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

123 4 5 6 7...23

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