5秒后页面跳转
MRF157 PDF预览

MRF157

更新时间: 2024-01-02 05:37:43
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
8页 182K
描述
MOS LINEAR RF POWER FET

MRF157 数据手册

 浏览型号MRF157的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MRF157的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MRF157的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MRF157的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MRF157的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MRF157的Datasheet PDF文件第7页 
30  
25  
20  
15  
800  
V
= 50 V  
DS  
600  
400  
200  
0
40 V  
12  
0
4
8
= 800 mA  
16  
I
DQ  
800  
600  
V
I
= 50 V  
= 800 mA  
= 600 W  
DD  
DQ  
V
= 50 V  
DS  
10  
P
out  
400  
200  
40 V  
5
0
0
1
2
0
2
5
10  
20  
50  
100  
200  
8
0
40  
, INPUT POWER (WATTS)  
80  
100  
100  
f, FREQUENCY (MHz)  
P
in  
Figure 2. Power Gain versus Frequency  
Figure 3. Output Power versus Input Power  
100  
5000  
C
iss  
T
= 25°C  
2000  
1000  
500  
C
C
oss  
10  
200  
100  
50  
C
V
= 0 V  
f = 1 MHz  
rss  
GS  
1
20  
, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
1
2
5
10  
20  
50  
V
, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
DS  
V
DS  
Figure 4. DC Safe Operating Area  
Figure 5. Capacitance versus Drain Voltage  
1.04  
40  
30  
20  
10  
0
1.03  
1.02  
1.01  
I
= 20 A  
D
TYPICAL DEVICE SHOWN  
V
V
= 10 V  
16 A  
DS  
GS(th)  
= 24 mhos  
1
0.99  
0.98  
= 3.5 V  
g
fs  
0.97  
0.96  
0.95  
0.94  
0.93  
0.92  
0.91  
8 A  
4 A  
0.4 A  
1 A  
0.9  
2
4
6
–25  
0
25  
50  
75  
T
, CASE TEMPERATURE (°C)  
V
, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
C
GS  
Figure 6. Gate Voltage versus Drain Current  
Figure 7. Gate–Source Voltage versus  
Case Temperature  
MOTOROLA RF DEVICE DATA  
MRF157  
3

与MRF157相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MRF1570FNT1 FREESCALE RF Power Field Effect Transistors

获取价格

MRF1570FT1 FREESCALE RF Power Field Effect Transistors

获取价格

MRF1570N FREESCALE RF Power Field Effect Transistors

获取价格

MRF1570NT1 FREESCALE RF Power Field Effect Transistors

获取价格

MRF1570NT1_08 FREESCALE RF Power Field Effect Transistors

获取价格

MRF1570T1 FREESCALE RF Power Field Effect Transistors

获取价格