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MRF1535T1

更新时间： 2024-01-12 15:37:24

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RF Power Field Effect Transistor

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MRF1535T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, TO-272, CASE 1264-09, 6 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
最大漏极电流 (ID)：	6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-272AA
JESD-30 代码：	R-PDFM-C6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	135 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF1535T1 数据手册

Table 4. Electrical Characteristics (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Drain−Source Breakdown Voltage

—

Vdc

µAdc

(BR)DSS

(V = 0 Vdc, I = 100 µAdc)

Zero Gate Voltage Drain Current

(V = 60 Vdc, V = 0 Vdc)

DSS

Gate−Source Leakage Current

0.3

GSS

(V = 10 Vdc, V = 0 Vdc)

On Characteristics

Gate Threshold Voltage

(V = 12.5 Vdc, I = 400 µA)

—

2.6

0.7

Vdc

Ω

GS(th)

DS(on)

Drain−Source On−Voltage

(V = 5 Vdc, I = 0.6 A)

—

Drain−Source On−Voltage

(V = 10 Vdc, I = 2.0 Adc)

Vdc

Dynamic Characteristics

Input Capacitance (Includes Input Matching Capacitance)

—

250

150

iss

(V = 12.5 Vdc, V = 0 V, f = 1 MHz)

Output Capacitance

oss

(V = 12.5 Vdc, V = 0 V, f = 1 MHz)

Reverse Transfer Capacitance

(V = 12.5 Vdc, V = 0 V, f = 1 MHz)

rss

RF Characteristics (In Freescale Test Fixture)

Common−Source Amplifier Power Gain

(V = 12.5 Vdc, P = 35 Watts, I = 500 mA)

f = 520 MHz

—

out

Drain Efficiency

(V = 12.5 Vdc, P = 35 Watts, I = 500 mA)

out

Load Mismatch

No Degradation in Output Power

Before and After Test

(V = 15.6 Vdc, f = 520 MHz, 2 dB Input Overdrive, VSWR 20:1 at

All Phase Angles)

MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

123 4 5 6 7...16

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