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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBTA56LT1
MMBTA56LT1 PDF预览

MMBTA56LT1

更新时间： 2024-11-17 22:39:43
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管驱动
页数 文件大小 规格书
4页 81K
描述
Driver Transistors

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MMBTA56LT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.61
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：0.225 W最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：0.25 V
Base Number Matches：1

MMBTA56LT1 数据手册

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by MMBTA55LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
COLLECTOR  
3
PNP Silicon  
*Motorola Preferred Device  
1
BASE  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
3
Rating  
Symbol  
MMBTA55  
–60  
MMBTA56  
–80  
Unit  
Vdc  
1
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
2
–60  
–80  
Vdc  
–4.0  
–500  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
DEVICE MARKING  
MMBTA55LT1 = 2H; MMBTA56LT1 = 2GM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board,  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
JA  
T , T  
J
–55 to +150  
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(3)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
MMBTA55  
MMBTA56  
V
–60  
–80  
—
—
Vdc  
(BR)CEO  
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = –100 Adc, I = 0)  
V
(BR)EBO  
–4.0  
—
—
Vdc  
µAdc  
µAdc  
E
C
Collector Cutoff Current (V  
= –60 Vdc, I = 0)  
I
–0.1  
CE  
B
CES  
Collector Cutoff Current (V  
Collector Cutoff Current (V  
= –60 Vdc, I = 0)  
MMBTA55  
MMBTA56  
I
—
—
–0.1  
–0.1  
CB  
CB  
E
CBO  
= –80 Vdc, I = 0)  
E
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (I = –10 mAdc, V  
CE  
= –1.0 Vdc)  
= –1.0 Vdc)  
h
FE  
100  
100  
—
—
—
C
DC Current Gain (I = –100 mAdc, V  
C
CE  
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = –100 mAdc, I = –10 mAdc)  
V
CE(sat)  
—
–0.25  
–1.2  
Vdc  
Vdc  
C
B
Base–Emitter On Voltage (I = –100 mAdc, V  
C
= –1.0 Vdc)  
V
—
CE  
BE(on)  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
(4)  
Current–Gain — Bandwidth Product  
f
T
50  
—
MHz  
(I = –100 mAdc, V = –1.0 Vdc, f = 100 MHz)  
C
CE  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
4. f is defined as the frequency at which |h | extrapolates to unity.  
fe  
T
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBTA56LT1G ONSEMI

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 		Driver Transistors PNP Silicon
MMBTA56LT1-TP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
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