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MMBT8050

更新时间： 2024-09-30 05:49:19

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商升特 - SEMTECH		晶体晶体管
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2页	145K
描述
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

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MMBT8050 数据手册

MMBT8050

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

for switching and amplifier applications.

As complementary type the PNP transistor

MMBT8550 is recommended.

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

600

Power Dissipation

P_tot

T_j

350

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_S

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

at V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

MMBT8050C

MMBT8050D

h_FE

100

160

250

400

at V_CE= 1 V, I_C= 500 mA

Collector Base Cutoff Current

at V_CB= 35 V

Collector Base Breakdown Voltage

at I_C= 10 µA

Collector Emitter Breakdown Voltage

at I_C= 2 mA

Emitter Base Breakdown Voltage

at I_E= 100 µA

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

Base Emitter Saturation Voltage

at I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

Gain Bandwidth Product

at V_CE= 5 V, I_C= 10 mA

I_CBO

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

100

0.5

1.2

100

MHz

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 11/04/2008

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