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MMBT8050_1.5A

更新时间： 2024-11-06 14:54:27

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBT8050_1.5A 数据手册

MMBT8050(1.5A)

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Applications

• For switching and amplifier applications

• Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages

1.Base 2. Emitter 3. Collector

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

1.5

350

Power Dissipation

P_tot

Junction Temperature

T_j

150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

357

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 02/04/2022 Rev: 04

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