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MMBT8050LDW

更新时间： 2023-12-06 20:01:28

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBT8050LDW 数据手册

MMBT8050LDW

Dual NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

TR2

TR1

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 4. Emitter 5. Base 3. Collector

SOT-363 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

800

1.5

200

Collector Current Pulse

Power Dissipation ¹⁾

P_W= 10 ms

I_CM

P_tot

Junction Temperature

T_j

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

150mW per element must not be exceeded.

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 09/08/2023 Rev: 02

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