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MMBT8550(2A)

更新时间： 2023-12-06 20:10:23

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBT8550(2A) 数据手册

MMBT8550(2A)

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• The transistor is subdivided into two groups C and D

according to its DC current gain.

1.Base 2.Emitter 3.Collector

SOT-23 Plastic Package

Applications

• For switching and amplifier applications.

Especially suitable for AF-driver stages

and low power output stages.

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

350

Power Dissipation

P_tot

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

357

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated : 07/04/2022 Rev:02

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