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MMBT8050E

更新时间： 2024-10-01 14:55:39

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBT8050E 数据手册

MMBT8050E

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Applications

• For switching and amplifier applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

600

Power Dissipation

P_tot

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 25/05/2023 Rev: 02

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