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MMBT8050SD

更新时间： 2023-12-06 20:10:52

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先科 - SWST		晶体管
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MMBT8050SD 数据手册

MMBT8050SD

Dual NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

As complementary type the PNP transistor

MMBT8550SD is recommended.

TR2

TR1

Applications

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 4. Emitter 5. Base 3. Collector

SOT-26 Plastic Package

• For switching and amplifier

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

600

Power Dissipation

P_tot

T_j

350

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

357

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 25/03/2022 Rev: 01

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