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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.39 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBT8099LT1G | ONSEMI |
完全替代  |
Amplifier Transistor NPN Silicon |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT8099LT1_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Amplifier Transistor NPN Silicon |
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| MMBT8099LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Amplifier Transistor NPN Silicon |
|
| MMBT8099LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CASE 318-07, 3 PIN |
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| MMBT8105 | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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| MMBT8110D | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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| MMBT8550 | SEMTECH |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| MMBT8550 | BYTESONIC |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| MMBT8550 | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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| MMBT8550(2A) | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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| MMBT8550_1.5A | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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