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MMBT8050_2A

更新时间： 2024-11-06 14:54:15

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先科 - SWST		晶体管
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3页	662K
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小信号晶体管

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MMBT8050_2A 数据手册

MMBT8050 (2A)

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

for switching and amplifier applications. Especially

suitable for AF-driver stages and low power

output stages.

The transistor is subdivided into two groups C and

D according to its DC current gain.

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Power Dissipation

P_tot

350

Junction Temperature

T_j

150

℃

Storage Temperature Range

T_Stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Unit

DC Current Gain

at V_CE= 1 V, I_C= 5 mA

at V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

h_FE

100

160

MMBT8050C

MMBT8050D

250

300

at V_CE= 1 V, I_C= 1.5 A

Collector Base Cutoff Current

at V_CB= 35 V

I_CBO

I_EBO

100

Emitter Base Cutoff Current

at V_EB= 6 V

100

Collector Base Breakdown Voltage

at I_C= 100 µA

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

f_T

Collector Emitter Breakdown Voltage

at I_C= 2 mA

Emitter Base Breakdown Voltage

at I_E= 100 µA

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C= 1.5 A, I_B= 100 mA

Base Emitter Saturation Voltage

at I_C= 1.5 A, I_B= 100 mA

Base Emitter Voltage

at V_CE= 1 V, I_C= 10 mA

Transition Frequency

at V_CE= 10 V, I_C= 50 mA

0.5

1.2

100

MHz

Dated: 16/03/2015 Rev: 01

12 3

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