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MMBT8050W(1.5A)

更新时间： 2024-10-01 14:55:07

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBT8050W(1.5A) 数据手册

MMBT8050W (1.5A)

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

For switching and amplifier applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

Value

Unit

1.5

Peak Collector Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

P_tot

200

T_j

150

Storage Temperature Range

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Unit

Max.

625

Thermal Resistance - Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated : 20/02/2023 Rev:02

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