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MMBT4401K

更新时间： 2024-02-11 11:09:36
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 60K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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MMBT4401K 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMBT4401K 数据手册

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February 2005  
MMBT4401K  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Switching Transistor  
Marking  
3
2XK  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
Units  
V
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
VCEO  
VEBO  
IC  
40  
V
6
V
600  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
PC  
Collector Dissipation  
Storage Temperature  
TSTG  
Electrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
IBEV  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Base Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
IC = 100µA, IE = 0  
60  
40  
6
V
V
IC = 1.0mA, IB = 0  
IE = 100µA, IC = 0  
V
VCE = 35V, VEB = 0.4V  
VCE = 35V, VEB = 0.4V  
VCE = 1V, IC = 0.1mA  
100  
100  
nA  
nA  
ICEX  
Collector Cut-off Current  
hFE  
DC Current Gain *  
20  
40  
V
CE = 1V, IC = 1mA  
VCE = 1V, IC = 10mA  
80  
V
V
CE = 1V, IC = 150mA  
CE = 2V, IC = 500mA  
100  
40  
300  
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage *  
Base-Emitter Saturation Voltage *  
IC = 150mA, IB = 15mA  
C = 500mA, IB = 50mA  
0.4  
0.75  
V
V
I
I C= 150mA, IB = 15mA  
C = 500mA, IB = 50mA  
0.75  
250  
0.95  
1.2  
V
V
I
fT  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
IC = 20mA, VCE = 10V, f = 100MHz  
VCB=5V, IE=0, f=100KHz  
MHz  
pF  
Cob  
tON  
6.5  
35  
Turn On Time  
VCC = 30V, VBE = 2V  
ns  
IC = 150mA, IB1 = 15mA  
tOFF  
Turn Off Time  
VCC = 30V, IC = 150mA  
IB1 = IB2 = 15mA  
255  
ns  
* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
MMBT4401K Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234

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MMBT4401K 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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