5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> MMBT4401LT1
MMBT4401LT1 PDF预览

MMBT4401LT1

更新时间： 2024-09-24 22:10:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 304K
描述
Switching Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMBT4401LT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：4.12最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：255 ns最大开启时间（吨）：35 ns

MMBT4401LT1 数据手册

 浏览型号MMBT4401LT1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT4401LT1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT4401LT1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT4401LT1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT4401LT1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMBT4401LT1的Datasheet PDF文件第7页 
Order this document  
by MMBT4401LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
Motorola Preferred Device  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
3
2
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
40  
60  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
V
Vdc  
CBO  
EBO  
Emitter–Base Voltage  
V
6.0  
600  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBT4401LT1 = 2X  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(3)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
40  
60  
6.0  
—
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 0.1 mAdc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 0.1 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)EBO  
—
E
C
Base Cutoff Current  
(V = 35 Vdc, V  
I
µAdc  
µAdc  
BEV  
= 0.4 Vdc)  
= 0.4 Vdc)  
0.1  
0.1  
CE EB  
Collector Cutoff Current  
(V = 35 Vdc, V  
I
CEX  
—
CE EB  
1. FR–5 = 1.0  
0.75 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
12345678

中文翻译

下载PDF

与MMBT4401LT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT4401LT1_15 WINNERJOIN

获取价格

 		NPN TRANSISTOR
MMBT4401LT1G ONSEMI

获取价格

 		Switching Transistor(NPN Silicon)
MMBT4401LT1S MOTOROLA

获取价格

 		Transistor
MMBT4401LT3 ONSEMI

获取价格

 		Switching Transistor(NPN Silicon)
MMBT4401LT3G ONSEMI

获取价格

 		Switching Transistor
MMBT4401M3T5G ONSEMI

获取价格

 		NPN Switching Transistor
MMBT4401Q DIODES

获取价格

 		NPN, 40V, 0.6A, SOT23
MMBT4401Q YANGJIE

获取价格

 		SOT-23
MMBT4401T DIODES

获取价格

 		NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT4401T BL Galaxy Electrical

获取价格

 		40V,0.6A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

与MMBT4401LT1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证