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MMBT4403

更新时间： 2024-11-21 04:39:27

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	100K
描述
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

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MMBT4403 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.56
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	35 ns
最大开启时间（吨）：	255 ns	Base Number Matches：	1

MMBT4403 数据手册

MMBT4401

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

NPN

Version 2006-05-09

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMBT4401

40 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

V_CEO

V_CBO

V_EBO

P_tot

60 V

6 V

250 mW ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

I_C

600 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

I_C= 0.1 mA, V_CE= 1 V

h_FE

100

–

300

–

I_C= 1 mA,

V_CE= 1 V

I_C= 10 mA, V_CE= 1 V

I_C= 150 mA, V_CE= 1 V

I_C= 500 mA, V_CE= 2 V

h-Parameters at/bei V_CE= 10 V, I_C= 1 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung

Input impedance – Eingangs-Impedanz

h_fe

h_ie

h_oe

h_re

1 kΩ

–

500

15 kΩ

30 µS

8*10^-4

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

1 µS

0.1*10^-4

Reverse voltage transfer ratio – Spannungsrückwirkung

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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MMBT4403 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBT4403-7-F	DIODES	功能相似	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT4403LT3G	ONSEMI	功能相似	Switching Transistor
MMBT2907ALT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors

与MMBT4403相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT4403_08	MCC	获取价格	NPN General Purpose Amplifier
MMBT4403_09	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT4403_1	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT4403_10	UTC	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT4403_11	MCC	获取价格	PNP General Purpose Amplifier
MMBT4403_2	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT4403-13	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
MMBT4403-7	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT4403-7-F	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT4403-AE3-R	UTC	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

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