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MMBT4403

更新时间： 2024-01-20 08:22:45

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	100K
描述
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

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MMBT4403 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
最大关闭时间（toff）：	255 ns	最大开启时间（吨）：	35 ns
Base Number Matches：	1

MMBT4403 数据手册

MMBT4401

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

NPN

Version 2006-05-09

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMBT4401

40 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

V_CEO

V_CBO

V_EBO

P_tot

60 V

6 V

250 mW ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

I_C

600 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

I_C= 0.1 mA, V_CE= 1 V

h_FE

100

–

300

–

I_C= 1 mA,

V_CE= 1 V

I_C= 10 mA, V_CE= 1 V

I_C= 150 mA, V_CE= 1 V

I_C= 500 mA, V_CE= 2 V

h-Parameters at/bei V_CE= 10 V, I_C= 1 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung

Input impedance – Eingangs-Impedanz

h_fe

h_ie

h_oe

h_re

1 kΩ

–

500

15 kΩ

30 µS

8*10^-4

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

1 µS

0.1*10^-4

Reverse voltage transfer ratio – Spannungsrückwirkung

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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MMBT4403 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBT4403-7-F	DIODES	功能相似	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT4403LT3G	ONSEMI	功能相似	Switching Transistor
MMBT2907ALT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors

与MMBT4403相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT4403_08	MCC	获取价格	NPN General Purpose Amplifier
MMBT4403_09	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT4403_1	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT4403_10	UTC	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT4403_11	MCC	获取价格	PNP General Purpose Amplifier
MMBT4403_2	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT4403-13	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
MMBT4403-7	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT4403-7-F	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT4403-AE3-R	UTC	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

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