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MMBT4403LT1

更新时间： 2024-09-24 22:14:27

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	251K
描述
General Purpose Transistor(PNP Silicon)

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MMBT4403LT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.22
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT4403LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

GeneralPurposeTransistors

PNP Silicon

MMBT4403LT1

COLLECTOR

BASE

EMITTER

CASE 318–08, STYLE 6

SOT– 23 (TO–236AB)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

Value

– 40

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

– 40

Vdc

– 5.0

– 600

Vdc

Collector Current — Continuous

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR –5 Board (1)

T _A=25 °C

P _D

225

Derate above 25°C

1.8

mW/°C

Thermal Resistance Junction to Ambient

R _θJA

P _D

556

300

°C/W

Total Device Dissipation

Alumina Substrate (2) T _A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

417

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

T _J, T _stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

MMBT4403LT1 = 2T

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T _A= 25°C unless otherwise noted)

Characteristic Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage (3)

(I _C= –1.0 mAdc, I _B= 0)

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

V _(BR)EBO

I _BEV

Vdc

– 40

– 5.0

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I _C= –0.1mAdc, I _E= 0)

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= –0.1mAdc, I _C= 0)

Vdc

—

Base Cutoff Current

µAdc

(V _CE= –35 Vdc, V _EB= –0.4 Vdc)

Collector Cutoff Current

– 0.1

I _CEX

(V _CE= –35 Vdc, V _EB= –0.4 Vdc)

—

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

3. Pulse Test: Pulse Width

<300 µs; Duty Cycle <2.0%.

O15–1/5

12 3 4 5

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