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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 0.51 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 基于收集器的最大容量： | 8.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 0.225 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 255 ns | 最大开启时间（吨）： | 35 ns |
| VCEsat-Max： | 0.75 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBT4403LT3 | ONSEMI |
完全替代  |
Switching Transistor(PNP Silicon) |
|
| SMMBT4403LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
Switching Transistor |
|
| MMBT4403LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
Switching Transistor(PNP Silicon) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT4403M3T5G | ONSEMI |
获取价格 |
PNP Switching Transistor |
|
| MMBT4403Q | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| MMBT4403-Q | UTC |
获取价格 |
PNP |
|
| MMBT4403-S00Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| MMBT4403S62Z | TI |
获取价格 |
PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| MMBT4403T | DIODES |
获取价格 |
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
| MMBT4403T | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
40V,0.6A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
|
| MMBT4403-T | RECTRON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MMBT4403T/R13 | PANJIT |
获取价格 |
PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR |
|
| MMBT4403T/R7 | PANJIT |
获取价格 |
PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR |
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