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MMBT4401W

更新时间： 2024-02-08 13:57:15
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体开关晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 254K
描述
Switching Transistor

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MMBT4401W 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMBT4401W 数据手册

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MMBT4401W  
NPN Silicon  
Elektronische Bauelemente  
Switching Transistor  
RoHS Compliant Product  
A
L
SOT-323  
Min Max  
COLLECTOR  
3
Dim  
A
B
C
D
G
H
J
1.800 2.200  
1.150 1.350  
0.800 1.000  
0.300 0.400  
1.200 1.400  
0.000 0.100  
0.100 0.250  
0.350 0.500  
0.590 0.720  
2.000 2.400  
0.280 0.420  
S
C
Top View  
B
3
1
BASE  
V
G
1
2
2
EMITTER  
H
J
D
K
K
L
S
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
V
Symbol  
Value  
Unit  
All Dimension in mm  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
V
V
40  
60  
Vdc  
Vdc  
CEO  
CBO  
EBO  
6.0  
600  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
200  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
200  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
Derate above 25°C  
T = 25°C  
A
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
417  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBT4401W = K3X, 2X  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(3)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
V
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
40  
60  
6.0  
—
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 0.1 mAdc, I = 0)  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 0.1 mAdc, I = 0)  
Vdc  
—
E
C
Base Cutoff Current  
(V = 35 Vdc, V  
I
µAdc  
µAdc  
BEV  
CEX  
= 0.4 Vdc)  
= 0.4 Vdc)  
EB  
0.1  
0.1  
CE  
Collector Cutoff Current  
(V = 35 Vdc, V  
EB  
I
—
CE  
1. FR–5 = 1.0  
2. Alumina = 0.4  
0.75 0.062 in.  
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
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与MMBT4401W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT4401WT1 ROCHESTER

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 		600mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
MMBT4401WT1 ONSEMI

获取价格

 		Switching Transistor NPN Silicon
MMBT4401WT1 WILLAS

获取价格

 		General Purpose Transistors
MMBT4401WT1G ONSEMI

获取价格

 		Switching Transistor NPN Silicon
MMBT4402 TI

获取价格

 		600mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT4403 UTC

获取价格

 		PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT4403 DIOTEC

获取价格

 		Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
MMBT4403 PANJIT

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 		PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT4403 BL Galaxy Electrical

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 		PNP General Purpose Transistor
MMBT4403 TRSYS

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 		PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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