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MMBT4403 PDF预览

MMBT4403

更新时间： 2024-02-28 04:53:13
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 423K
描述
Switching Transistor

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MMBT4403 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：255 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

MMBT4403 数据手册

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MMBT4403  
PNP Silicon  
Elektronische Bauelemente  
Switching Transistor  
RoHS Compliant Product  
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free  
SOT-23  
Min  
Dim  
A
B
C
D
G
H
J
Max  
2.800 3.040  
1.200 1.400  
0.890 1.110  
0.370 0.500  
1.780 2.040  
0.013 0.100  
0.085 0.177  
0.450 0.600  
0.890 1.020  
2.100 2.500  
0.450 0.600  
A
L
COLLECTOR  
3
3
1
S
Top View  
B
BASE  
1
2
3
V
G
2
1
EMITTER  
2
K
L
C
H
J
D
S
K
V
All Dimension in mm  
MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
-40  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-40  
V
-5  
V
Collector Current -Continuous  
Collector Dissipation  
-0.6  
A
PC  
0.3  
W
℃
TJ, Tstg  
Junction and Storage Temperature  
-55-150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃  
unless otherwise specified）  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
MIN  
MAX UNIT  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)CBO Ic=-100μA , IE=0  
-40  
-40  
-5  
V
V
V
V(BR)CEO IC= -1mA ,  
IB=0  
IC=0  
V(BR)EBO IE=-100μA,  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
VCB=-35V , IE=0  
VCE=-35 V , IB=0  
VEB=-4V , IC=0  
-0.1  
-0.1  
-0.1  
μA  
μA  
μA  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
hFE  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
DC current gain  
VCE=-2 V, IC= -150mA  
100  
200  
300  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
IC=-150 mA, IB=-15mA  
IC=- 150 mA, IB=-15mA  
-0.4  
V
V
-0.95  
VCE= -10V, IC= -20mA  
f = 100MHz  
Transition frequency  
MHz  
f T  
MARKING: 2T  
http://www.SeCoSGmbH.com  
01-Jun-2004 Rev. B  
Any changing of specification will not be informed individual  
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1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT4403_08 MCC

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MMBT4403_1 DIODES

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 		PNP General Purpose Amplifier
MMBT4403_2 DIODES

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