5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MMBT4401WT1
MMBT4401WT1 PDF预览

MMBT4401WT1

更新时间： 2024-02-04 23:47:24
品牌 Logo 应用领域
威伦 - WILLAS 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 533K
描述
General Purpose Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMBT4401WT1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-70
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.25
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMBT4401WT1 数据手册

 浏览型号MMBT4401WT1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT4401WT1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT4401WT1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT4401WT1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT4401WT1的Datasheet PDF文件第6页 
WILLAS  
MMBT4401WT1  
GeneralPurposeTransistors  
•
•
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.  
Pb-Free package is available  
RoHS product for packing code suffix ”G”  
Halogen free product for packing code suffix “H”  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Marking  
Shipping  
MMBT4401WT1  
2X  
3000/Tape & Reel  
MAXIMUM RATINGS  
SOT-323  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
V CEO  
V CBO  
V EBO  
I C  
60  
Vdc  
6.0  
Vdc  
3
COLLECTOR  
600  
mAdc  
1
BASE  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
2
Symbol  
Max  
Unit  
EMITTER  
Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)  
TA = 25°C  
PD  
225  
mW  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
RθJA  
PD  
Alumina Substrate, (2) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
RθJA  
417  
TJ , Tstg  
–55 to +150  
DEVICE MARKING  
MMBT4401LT1 = 2X  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (3)  
(I C = 1.0 mAdc, I B = 0)  
V (BR)CEO  
V (BR)CBO  
V (BR)EBO  
I BEV  
Vdc  
Vdc  
40  
60  
6.0  
—
—
—
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I C = 0.1 mAdc, I E = 0)  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I E = 0.1 mAdc, I C = 0)  
Vdc  
—
Base Cutoff Current  
µAdc  
µAdc  
(V CE = 35 Vdc, V EB = 0.4 Vdc)  
Collector Cutoff Current  
0.1  
0.1  
I CEX  
(V CE = 35 Vdc, V EB = 0.4 Vdc)  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
—
3. Pulse Test: Pulse Width  
<300 µs; Duty Cycle <2.0%.  
2012-10  
WILLAS ELECTRONIC CORP.  
123456

中文翻译

下载PDF

与MMBT4401WT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT4401WT1G ONSEMI

获取价格

 		Switching Transistor NPN Silicon
MMBT4402 TI

获取价格

 		600mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT4403 UTC

获取价格

 		PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT4403 DIOTEC

获取价格

 		Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
MMBT4403 PANJIT

获取价格

 		PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT4403 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		PNP General Purpose Transistor
MMBT4403 TRSYS

获取价格

 		PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT4403 DIODES

获取价格

 		PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT4403 VISHAY

获取价格

 		SMALL SIGNAL TRANSISTORS (PNP)
MMBT4403 MCC

获取价格

 		PNP General Purpose Amplifier

与MMBT4401WT1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证