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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT4401M3T5G
MMBT4401M3T5G PDF预览

MMBT4401M3T5G

更新时间： 2024-09-24 05:49:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 126K
描述
NPN Switching Transistor

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MMBT4401M3T5G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.61
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.64 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMBT4401M3T5G 数据手册

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MMBT4401M3T5G  
NPN Switching Transistor  
The MMBT4401M3T5G device is a spin−off of our popular  
SOT−23 three−leaded device. It is designed for general purpose  
switching applications and is housed in the SOT−723 surface mount  
package. This device is ideal for low−power surface mount  
applications where board space is at a premium.  
http://onsemi.com  
Features  
• Reduces Board Space  
• This is a Halide−Free Device  
• This is a Pb−Free Device  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
1
BASE  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
40  
60  
2
EMITTER  
Vdc  
V
6.0  
600  
Vdc  
EBO  
Collector Current − Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
MARKING  
DIAGRAM  
3
Symbol  
Max  
Unit  
SOT−723  
CASE 631AA  
STYLE 1  
AF M  
Total Device Dissipation  
FR−5 Board (Note 1)  
P
mW  
D
265  
2.1  
2
mW/°C  
1
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
AF  
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
470  
°C/W  
JA  
Total Device Dissipation  
Alumina Substrate, (Note 2) T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
640  
5.1  
mW  
mW/°C  
°C/W  
D
A
ORDERING INFORMATION  
Thermal Resistance,  
R
q
195  
JA  
†
Device  
Package  
Shipping  
Junction−to−Ambient  
MMBT4401M3T5G  
SOT−723 8000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
January, 2009 − Rev. 0  
MMBT4401M3/D  
 
12345

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MMBT4401M3T5G 替代型号

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