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MMBT4401LT1

更新时间： 2024-02-22 02:27:54

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	261K
描述
General Purpose Transistor(NPN Silicon)

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MMBT4401LT1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

MMBT4401LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

GeneralPurposeTransistors

NPN Silicon

MMBT4401LT1

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

Value

Unit

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

Vdc

6.0

Vdc

600

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

225

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

T_J, T_stg

–55 to +150

°C

DEVICE MARKING

MMBT4401LT1 = 2X

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage (3)

(I _C= 1.0 mAdc, I _B= 0)

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

V _(BR)EBO

I _BEV

Vdc

6.0

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I _C= 0.1 mAdc, I _E= 0)

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= 0.1 mAdc, I _C= 0)

Vdc

—

Base Cutoff Current

µAdc

(V _CE= 35 Vdc, V _EB= 0.4 Vdc)

Collector Cutoff Current

0.1

I _CEX

(V _CE= 35 Vdc, V _EB= 0.4 Vdc)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

—

3. Pulse Test: Pulse Width

<300 µs; Duty Cycle <2.0%.

O14–1/5

12 3 4 5

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