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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.13 |
| 配置： | SINGLE | 最大漏源导通电阻： | 30 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.225 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBFJ111D87Z | TI |
获取价格 |
N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
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| MMBFJ111L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
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| MMBFJ111S62Z | TI |
获取价格 |
N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
|
| MMBFJ112 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Switch |
|
| MMBFJ112 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道开关 |
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| MMBFJ112_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, |
|
| MMBFJ112_SB51338 | FAIRCHILD |
获取价格 |
SMALL SIGNAL, FET |
|
| MMBFJ112D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, |
|
| MMBFJ112L99Z | TI |
获取价格 |
N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
|
| MMBFJ112S62Z | TI |
获取价格 |
N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
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