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MMBFJ175LT3

更新时间: 2024-11-26 14:34:43
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摩托罗拉 - MOTOROLA 斩波器光电二极管晶体管
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1页 27K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236AB

MMBFJ175LT3 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.1
配置:SINGLE最大漏源导通电阻:125 Ω
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):5.5 pF
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:0.225 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:CHOPPER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MMBFJ175LT3 数据手册

  

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