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MMBFJ112 PDF预览

MMBFJ112

更新时间： 2024-11-25 22:27:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 104K
描述
N-Channel Switch

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MMBFJ112 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.21
Samacsys Confidence：2Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1049654Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236)Samacsys Released Date：2018-02-22 15:31:56
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最大漏源导通电阻：50 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBFJ112 数据手册

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Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
MMBFJ111  
MMBFJ112  
MMBFJ113  
J111  
J112  
J113  
G
D
TO-92  
G
S
SOT-23  
Mark: 6P / 6R / 6S  
S
D
N-Channel Switch  
This device is designed for low level analog switching, sample  
and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced  
from Process 51.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VDG  
Drain-Gate Voltage  
35  
- 35  
V
V
VGS  
Gate-Source Voltage  
IGF  
Forward Gate Current  
50  
mA  
°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
TJ ,Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
J111- J113  
*MMBFJ111  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
350  
2.8  
125  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
°C/W  
Rθ  
JC  
Rθ  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
357  
556  
°C/W  
JA  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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