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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MMBFJ175LT1
MMBFJ175LT1 PDF预览

MMBFJ175LT1

更新时间： 2024-11-25 22:27:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管光电二极管斩波器
页数 文件大小 规格书
4页 60K
描述
JFET Chopper

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MMBFJ175LT1 技术参数

是否无铅：含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.11Is Samacsys：N
配置：SINGLE最大漏源导通电阻：125 Ω
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：5.5 pF
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：CHOPPER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MMBFJ175LT1 数据手册

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by MMBFJ175LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
P–Channel — Depletion  
Motorola Preferred Device  
2 SOURCE  
1 DRAIN  
3
GATE  
3
1
2
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Drain–Gate Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
V
DG  
25  
Reverse Gate–Source Voltage  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
V
–25  
V
GS(r)  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBFJ175LT1 = 6W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
V
30  
—
—
V
nA  
V
(BR)GSS  
(V  
DS  
= 0, I = 1.0 µA)  
D
Gate Reverse Current  
(V = 0 V, V = 20 V)  
I
1.0  
6.0  
GSS  
DS  
Gate–Source Cutoff Voltage  
(V = 15, I = 10 nA)  
GS  
V
3.0  
GS(OFF)  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
(2)  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
7.0  
—
60  
1.0  
125  
mA  
nA  
DSS  
(V  
GS  
= 0, V  
= 15 V)  
DS  
Drain Cutoff Current  
(V = 15 V, V  
I
D(off)  
= 10 V)  
GS  
DS  
Drain Source On Resistance  
(I = 500 A)  
D
r
—
DS(on)  
Input Capacitance  
C
—
—
11  
iss  
V
DS  
= 0, V  
= 10 V  
GS  
f = 1.0 MHz  
pF  
Reverse Transfer Capacitance  
C
5.5  
rss  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Thermal Clad is a registered trademark of the Berquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
1234

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MMBFJ175LT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBFJ175 ONSEMI

完全替代

 P沟道开关
MMBFJ175LT1G ONSEMI

类似代替

 JFET Chopper P - Channel - Depletion
MMBFJ175 FAIRCHILD

功能相似

 P-Channel Switch

与MMBFJ175LT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBFJ175LT1_06 ONSEMI

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 		JFET Chopper P-Channel - Depletion
MMBFJ175LT1G ONSEMI

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 		JFET Chopper P - Channel - Depletion
MMBFJ175LT1G_09 ONSEMI

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 		JFET Chopper P - Channel - Depletion
MMBFJ175LT1G_11 ONSEMI

获取价格

 		JFET Chopper
MMBFJ175LT3 MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A
MMBFJ175LT3 ONSEMI

获取价格

 		P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN
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 		P 沟道 JFET 晶体管，30 V
MMBFJ175S62Z TI

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 		P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBFJ175S62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, SOT-23,
MMBFJ176 FAIRCHILD

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