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MMBFJ175LT3 PDF预览

MMBFJ175LT3

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 斩波器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 112K
描述
P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN

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MMBFJ175LT3 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：5.66
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最大漏源导通电阻：125 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：5.5 pFJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：CHOPPER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBFJ175LT3 数据手册

  
ON Semiconductort  
JFET Chopper  
P–Channel – Depletion  
MMBFJ175LT1  
ON Semiconductor Preferred Device  
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
1
2
Symbol  
Value  
25  
Unit  
V
Drain–Gate Voltage  
V
DG  
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
Reverse Gate–Source Voltage  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
V
–25  
V
GS(r)  
Symbol  
Max  
Unit  
2 SOURCE  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
D
225  
mW  
T = 25°C  
Derate above 25°C  
A
3
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
GATE  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
q
JA  
1 DRAIN  
T , T  
–55 to +150  
J
stg  
DEVICE MARKING  
MMBFJ175LT1 = 6W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
V
30  
–
–
V
nA  
V
(BR)GSS  
(V = 0, I = 1.0 µA)  
DS  
D
Gate Reverse Current  
(V = 0 V, V = 20 V)  
I
1.0  
6.0  
GSS  
DS  
GS  
Gate–Source Cutoff Voltage  
(V = 15, I = 10 nA)  
V
3.0  
GS(OFF)  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
(2)  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
7.0  
–
60  
1.0  
125  
mA  
nA  
W
DSS  
(V = 0, V = 15 V)  
GS  
DS  
Drain Cutoff Current  
(V = 15 V, V = 10 V)  
I
D(off)  
DS  
GS  
Drain Source On Resistance  
r
–
DS(on)  
(I = 500 mA)  
D
Input Capacitance  
C
–
–
11  
iss  
V
DS  
= 0, V = 10 V  
f = 1.0 MHz  
GS  
pF  
Reverse Transfer Capacitance  
C
5.5  
rss  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
529  
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 1  
MMBF175LT1/D  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBFJ175LT3G ONSEMI

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