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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MMBFJ175LT1G
MMBFJ175LT1G PDF预览

MMBFJ175LT1G

更新时间： 2024-01-17 05:51:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
2页 102K
描述
JFET Chopper P - Channel - Depletion

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MMBFJ175LT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.1
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大漏源导通电阻：125 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5.5 pF
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：CHOPPER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MMBFJ175LT1G 数据手册

 浏览型号MMBFJ175LT1G的Datasheet PDF文件第2页 
MMBFJ175LT1G  
JFET Chopper  
P−Channel − Depletion  
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
http://onsemi.com  
Compliant  
2 SOURCE  
MAXIMUM RATINGS  
3
Rating  
Drain−Gate Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
GATE  
V
DG  
25  
V
Reverse Gate−Source Voltage  
V
GS(r)  
−25  
V
1 DRAIN  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
3
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
A
Derate above 25°C  
mW/°C  
1
STYLE 10  
2
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
q
JA  
556  
°C/W  
°C  
T , T  
−55 to +150  
J
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
MARKING DIAGRAM  
6W M G  
G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
1
Characteristic  
Symbol Min Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
6W = Device Code  
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Gate−Source Breakdown Voltage  
(V = 0, I = 1.0 mA)  
V
30  
−
−
V
nA  
V
(BR)GSS  
DS  
D
(Note: Microdot may be in either location)  
Gate Reverse Current  
(V = 0 V, V = 20 V)  
I
1.0  
6.0  
GSS  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
DS  
GS  
Gate−Source Cutoff Voltage  
(V = 15, I = 10 nA)  
V
3.0  
GS(OFF)  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
ORDERING INFORMATION  
Zero Gate−Voltage Drain Current (Note 2)  
I
7.0  
−
60  
1.0  
125  
mA  
nA  
W
DSS  
†
Device  
Package  
Shipping  
(V = 0, V = 15 V)  
GS  
DS  
MMBFJ175LT1G  
SOT−23 3000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Drain Cutoff Current  
(V = 15 V, V = 10 V)  
I
D(off)  
DS  
GS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Drain Source On Resistance  
r
−
DS(on)  
(I = 500 mA)  
D
Input Capacitance  
C
−
−
11  
iss  
V
DS  
= 0, V = 10V  
GS  
pF  
Reverse Transfer  
Capacitance  
C
5.5  
rss  
f = 1.0 MHz  
2. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
August, 2009 − Rev. 5  
MMBFJ175LT1/D  
 
12

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MMBFJ175LT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBFJ175 ONSEMI

完全替代

 P沟道开关
MMBFJ175LT1 ONSEMI

类似代替

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功能相似

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