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MMBFJ108 PDF预览

MMBFJ108

更新时间： 2023-09-03 20:30:50
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关PC光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 441K
描述
N 沟道开关

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MMBFJ108 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SUPERSOT-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.36配置：SINGLE
最大漏源导通电阻：8 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：15 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBFJ108 数据手册

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N-Channel JFET  
J109, MMBFJ108  
Features  
• This Device is Designed for Digital Switching Applications where  
Very Low On Resistance is Mandatory  
• Sourced from Process 58  
www.onsemi.com  
• These are Pb−Free Devices  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise specified) (Notes 1, 2)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Gate Voltage  
Value  
25  
Unit  
V
V
V
DG  
GS  
GF  
Gate−Source Voltage  
−25  
V
1
I
Forward Gate Current  
10  
mA  
°C  
TO−92 3 4.825x4.76  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to 150  
J
STG  
CASE 135AN  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2. These are steady−state limits. ON Semiconductor should be consulted on  
applications involving pulsed or low−duty−cycle operations.  
1
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise specified)  
A
TO−92 3 4.83x4.76  
LEADFORMED  
CASE 135AR  
Max  
J109  
(Note 3)  
MMBFJ108  
(Note 4)  
Symbol  
Parameter  
Unit  
mW  
P
D
Total Device Dissipation  
Derate Above 25°C  
625  
5.0  
350  
2.8  
−
3
mW/°C  
°C/W  
1
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
125  
q
JC  
JA  
2
SOT−23/SUPERSOTt−23,  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
200  
357  
°C/W  
q
3 LEAD, 1.4x2.9  
CASE 527AG  
3. PCB size: FR−4, 76 mm x 114 mm x 1.57 mm (3.0 inch x 4.5 inch x 0.062 inch)  
with minimum land pattern size.  
1. Drain, 2. Source, 3. Gate  
4. Device mounted on FR−4 PCB 36 mm x 18 mm x 1.5 mm; mounting pad for  
2
the collector lead minimum 6 cm .  
MARKING DIAGRAM  
$Y&Z&3&K  
J109  
$Y&Z&3  
J109  
&Y  
I8 &G  
J109  
J109−D26Z  
MMBFJ108  
J109, I8 = Specific Device Code  
$Y  
&Y  
&G  
&Z  
&3  
&K  
= ON Semiconductor Logo  
= Year Coding  
= Weekly Date Code  
= Assembly Plant Code  
= Date Code Format  
= Lot Run Traceability Code  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
December, 2020 − Rev. 4  
J109/D  
 
1234567...9

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MMBFJ108 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SST5485-T1-E3 VISHAY

类似代替

 Transistor
MMBF5484LT1G ONSEMI

类似代替

 JFET Transistor N−Channel

与MMBFJ108相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBFJ108_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SUPERSO
MMBFJ108D87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
MMBFJ109 FAIRCHILD

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 		N-Channel Switch
MMBFJ110 FAIRCHILD

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 		N-Channel Switch
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 		N 沟道开关
MMBFJ111_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET,
MMBFJ111D87Z TI

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 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB

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