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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MMBFJ108_NL
MMBFJ108_NL PDF预览

MMBFJ108_NL

更新时间： 2024-11-02 13:11:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
7页 162K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SUPERSOT-3

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MMBFJ108_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SUPERSOT-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.36配置：SINGLE
最大漏源导通电阻：8 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：15 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBFJ108_NL 数据手册

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J108/J109/J110/MMBFJ108  
N-Channel Switch  
3
•
This device is designed for digital switching  
applications where very low on resistance is  
mandatory.  
Sourced from Process 58.  
2
•
TO-92  
1. Drain 2. Source 3. Gate  
1
SuperSOT-3  
1
1. Drain 2. Source 3. Gate  
Absolute Maximum Ratings * T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
25  
Units  
V
V
V
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
DG  
GS  
-25  
V
I
10  
mA  
°C  
GF  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ +150  
J
stg  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Off Characteristics  
V
Gate-Source Breakdwon Voltage  
Gate Reverse Current  
I
= -10µA, V = 0  
-25  
V
(BR)GSS  
GSS  
G
DS  
I
V
V
= -15V, V = 0  
-3.0  
-200  
nA  
nA  
GS  
GS  
DS  
= -15V, V = 0, T = 100°C  
DS  
A
V
(off)  
Gate-Source Cutoff Voltage  
V
= 15V, I = 10nA  
108  
109  
110  
-3.0  
-2.0  
-0.5  
-10  
-6.0  
-4.0  
V
V
V
GS  
DS  
D
On Characteristics  
I
Zero-Gate Voltage Drain Current *  
V
V
= 15V, I = 0  
108  
109  
110  
80  
40  
10  
mA  
mA  
mA  
DSS  
DS  
DS  
GS  
r
(on)  
Drain-Source On Resistance  
≤ 0.1V, V = 0  
108  
109  
110  
8.0  
12  
18  
Ω
Ω
Ω
DS  
GS  
Small Signal Characteristics  
C
C
(on)  
Drain Gate & Source Gate On  
Capacitance  
V
= 0, V = 0, f = 1.0MHz  
85  
pF  
dg  
DS  
GS  
(off)  
sg  
dg  
C
C
(on)  
(off)  
Drain-Gate Off Capacitance  
Source-Gate Off Capacitance  
V
V
= 0, V = -10, f = 1.0MHz  
15  
15  
pF  
pF  
DS  
DS  
GS  
= 0, V = -10, f = 1.0MHz  
sg  
GS  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, July 2002  
1234567

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与MMBFJ108_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBFJ108D87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
MMBFJ109 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Switch
MMBFJ110 FAIRCHILD

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 		N-Channel Switch
MMBFJ110 ONSEMI

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MMBFJ110_11 FAIRCHILD

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 		N-Channel Switch
MMBFJ111 FAIRCHILD

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 		N-Channel Switch
MMBFJ111 ONSEMI

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 		N 沟道开关
MMBFJ111_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET,
MMBFJ111D87Z TI

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 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBFJ111L99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET

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