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MMBFJ110

更新时间： 2023-09-03 20:30:27

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安森美 - ONSEMI		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	329K
描述
N 沟道开关

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MMBFJ110 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	21 weeks	风险等级：	0.95
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大漏源导通电阻：	18 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.46 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MMBFJ110 数据手册

N-Channel JFET

MMBFJ110

Features

• This Device is Designed for Digital Switching Applications where

Very Low On Resistance is Mandatory

• Sourced from Process 58

www.onsemi.com

• This is a Pb−Free Device

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise specified) (Notes 1, 2)

Symbol

Parameter

Drain−Gate Voltage

Value

Unit

SOT−23/SUPERSOTt−23,

Gate−Source Voltage

Forward Gate Current

Junction Temperature

Storage Temperature Range

−25

3 LEAD, 1.4x2.9

CASE 527AG

°C

1. Drain, 2. Source, 3. Gate

150

T , T

−55 to 150

STG

MARKING DIAGRAM

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.

2. These are steady−state limits. ON Semiconductor should be consulted on

applications involving pulsed or low−duty−cycle operations.

110 &G

110 = Specific Device Code

&Y = Year Coding

&G = Weekly Date Code

THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise specified)

(Note 3)

Symbol

Parameter

Total Device Dissipation

Max

460

3.68

270

Unit

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 4 of

this data sheet.

Derate Above 25°C

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient

3. Device mounted on FR−4 PCB 36 mm x 18 mm x 1.5 mm; mounting pad for

the collector lead minimum 6 cm .

Publication Order Number:

December, 2020 − Rev. 2

MMBFJ110/D

12 3 4 5 6

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MMBFJ110 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SST5485-E3	VISHAY	功能相似	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, TO-236, 3 PIN, FET RF
SMMBFJ310LT1G	ONSEMI	功能相似	JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor

与MMBFJ110相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBFJ110_11	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Switch
MMBFJ111	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Switch
MMBFJ111	ONSEMI	获取价格	N 沟道开关
MMBFJ111_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET,
MMBFJ111D87Z	TI	获取价格	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBFJ111L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
MMBFJ111S62Z	TI	获取价格	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBFJ112	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Switch
MMBFJ112	ONSEMI	获取价格	N 沟道开关
MMBFJ112_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET,

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