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MMBD4448

更新时间： 2024-11-18 12:36:43

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SWITCHING DIODE

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MMBD4448 数据手册

RoHS

MMBD4448W

SOT-323

MMBD4448W SWITCHING DIODE

FEATURES

1. 25¡ À0. 05

Power dissipation

P_D:

2. 30¡ À0. 05

200

mW (Tamb=25℃)

Collector current

I_O:

Collector-base voltage

V_R:

250

Unit: mm

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

Marking: KA3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

V_{(BR) R}

Reverse breakdown voltage

I_R= 10µA

V_R=20V

V_R=75V

0.025

2.5

I_R

Reverse voltage leakage current

Forward voltage

µA

I_F=5mA

I_F=10mA

I_F=100mA

I_F=150mA

0.72

0.855

V_F

1.25

C_D

t _{r r}

V_R=0V, f=1MHz

Diode capacitance

Reverse recovery time

I_F=I_R=10mA

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

I_rr=0.1×I_R,R_L=100Ω

Test period <3000µs.

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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