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Datasheet > 二极管 > 微波混频二极管> MMBD301L
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MMBD301L

更新时间： 2024-01-03 16:32:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 微波混频二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 94K
描述
SILICON HOT-CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES

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MMBD301L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.56
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

MMBD301L 数据手册

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by MBD301/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Schottky Barrier Diodes  
Motorola Preferred Devices  
These devices are designed primarily for high–efficiency UHF and VHF detector  
applications. They are readily adaptable to many other fast switching RF and digital  
applications. They are supplied in an inexpensive plastic package for low–cost,  
high–volume consumer and industrial/commercial requirements. They are also  
available in a Surface Mount package.  
30 VOLTS  
SILICON HOT–CARRIER  
DETECTOR AND SWITCHING  
DIODES  
•
•
•
Extremely Low Minority Carrier Lifetime – 15 ps (Typ)  
Very Low Capacitance – 1.5 pF (Max) @ V = 15 V  
R
Low Reverse Leakage – I = 13 nAdc (Typ) MBD301, MMBD301  
R
1
2
CASE 182–02, STYLE 1  
(TO–226AC)  
MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)  
J
MBD301  
MMBD301LT1  
Value  
30  
Rating  
Reverse Voltage  
Forward Power Dissipation  
Symbol  
Unit  
2
1
CATHODE  
ANODE  
V
R
Volts  
P
F
J
@ T = 25°C  
280  
2.8  
200  
2.0  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
3
Operating Junction  
Temperature Range  
T
°C  
°C  
–55 to +125  
–55 to +150  
1
2
Storage Temperature Range  
DEVICE MARKING  
MMBD301LT1 = 4T  
T
stg  
CASE 318–08, STYLE 8  
SOT–23 (TO–236AB)  
3
1
CATHODE  
ANODE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
30  
—
Typ  
—
Max  
—
Unit  
Volts  
pF  
Reverse Breakdown Voltage (I = 10 µA)  
V
(BR)R  
R
Total Capacitance (V = 15 V, f = 1.0 MHz) Figure 1  
C
0.9  
1.5  
R
T
Reverse Leakage (V = 25 V) Figure 3  
I
—
13  
200  
0.45  
0.6  
nAdc  
Vdc  
Vdc  
R
R
Forward Voltage (I = 1.0 mAdc) Figure 4  
V
—
0.38  
0.52  
F
F
F
Forward Voltage (I = 10 mAdc) Figure 4  
V
—
F
NOTE: MMBD301LT1 is also available in bulk packaging. Use MMBD301L as the device title to order this device in bulk.  
Thermal Clad is a registered trademark of the Berquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1997  
1234

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