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MMBD301TS

更新时间： 2024-11-04 04:39:31

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强茂 - PANJIT		肖特基二极管
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3页	99K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE

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MMBD301TS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.56
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

MMBD301TS 数据手册

MMBD301TS

SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE

200mWatts

POWER

30 Volts

VOLTAGE

FEATURES

• Low Capacitance : 1.5pF(Max)at V_R=15V

• Very Low V_F: 0.36V (Typ) at I_F= 1mA

• Extremely Fast Switching Speed

• Pb free product : 99% Sn above can meet RoHS environment

substance directive request

MECHANICALDATA

• Case: SOD-523 plastic case.

• Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026

• Standard packaging: 8mm tape

• Weight: approximately 0.002gram

• Marking : 301

ABSOLUTE RATINGS AND THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

Maximum Reverse Voltage

SYMBOL

V_R

Value

UNITS

Peak Reverse Voltage

V_RRM

I_F

Maximum Forward Current

Power Dissipation(Note 1)

Thermal Resistance , Junction to Ambient (Note 1)

Junction Temperature

0.2

200

^OC / W

^OC

P_TOT

R_θJA

T_J

500

-55 to 125

-55 to 150

Storage Temperature

^OC

T_STG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_J=25^OC unless otherwise noted)

PARAMETER

Reverse Breakdown Voltage

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

I_R=10uA

V_R=25V

V_(BR)

µA

Reverse Leakage Current

0.2

Forward Voltage

Total Capacitance

I_F=1.0mA

I_F=10mA

0.45

0.6

V_F

C_T

V_R=15V , f=1.0MH_Z

1.5

NOTE:

1. FR-5 Board = 1.0X0.75X0.062 in.

STAD-DEC.19.2005

PAGE . 1

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