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Datasheet > 二极管 > 微波混频二极管> MMBD301M3T5G
MMBD301M3T5G PDF预览

MMBD301M3T5G

更新时间： 2024-11-04 05:49:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 微波混频二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 112K
描述
Silicon Hot-Carrier Diode

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MMBD301M3T5G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.60Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.57Is Samacsys：N
配置：SINGLE最大二极管电容：1.5 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.45 V频带：ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MMBD301M3T5G 数据手册

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MMBD301M3T5G  
Silicon Hot-Carrier Diode  
SCHOTTKY Barrier Diode  
The MMBD301M3T5G device is a spin−off of our popular  
SOT−23 three−leaded device. It is designed primarily for  
high−efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily  
adaptable to many other fast switching RF and digital applications  
and is housed in the SOT−723 surface mount package. This device is  
ideal for low−power surface mount applications where board space is  
at a premium.  
http://onsemi.com  
30 VOLTS  
SILICON HOT−CARRIER  
DETECTOR AND SWITCHING  
DIODES  
Features  
• Extremely Low Minority Carrier Lifetime − 15 ps (Typ)  
• Very Low Capacitance − 1.5 pF (Max) @ V = 15 V  
R
3
1
• Reduces Board Space  
• This is a Halide−Free Device  
• This is a Pb−Free Device  
CATHODE  
ANODE  
MARKING  
DIAGRAM  
3
MAXIMUM RATINGS  
SOT−723  
CASE 631AA  
STYLE 2  
AK M  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
2
Reverse Voltage  
V
R
30  
V
1
Total Device Dissipation  
P
F
AK  
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
@ T = 25°C  
200  
2.0  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
−55 to +125  
−55 to +150  
°C  
°C  
J
T
stg  
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
RecommendedOperating Conditions may affect device reliability.  
†
Device  
MMBD301M3T5G  
Package  
Shipping  
SOT−723 8000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
30  
−
Typ  
−
Max  
−
Unit  
V
Reverse Breakdown Voltage (I = 10 mA)  
V
(BR)R  
R
Total Capacitance (V = 15 V, f = 1.0 MHz) Figure 1  
C
T
0.9  
13  
1.5  
200  
0.45  
0.6  
pF  
R
Reverse Leakage (V = 25 V) Figure 3  
I
R
−
nAdc  
Vdc  
Vdc  
R
Forward Voltage (I = 1.0 mAdc) Figure 4  
V
−
0.38  
0.52  
F
F
F
Forward Voltage (I = 10 mAdc) Figure 4  
V
−
F
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
January, 2009 − Rev. 0  
MMBD301M3/D  
123

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