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MMBD3004SE

更新时间： 2024-01-16 11:43:23

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2页	316K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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MMBD3004SE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.62	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.225 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.41 W
最大重复峰值反向电压：	350 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MMBD3004SE 数据手册

MMBD3004SE

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

High Voltage Switching Diode

Features

• Fast switching speed

• High Conductance

• High Reverse Breakdown Voltage Rating

Marking Code: "ZB"

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Repetitive Peak Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

Symbol

V_RRM

V_RWM

V_R

Value

350

300

225

625

Unit

Continuous Forward Current

I_F

Peak Repetitive Forward Current

I_FRM

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

at t = 1 µs

at t = 1 s

I_FSM

Power Dissipation

350

P_d

Operating and Storage Temperature Range

- 65 to + 150

T_j, T_stg

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

V_F

Min.

Max.

Unit

Forward Voltage

at I_F= 20 mA

at I_F= 100 mA

at I_F= 200 mA

0.87

1.25

Reverse Current

at V_R= 240 V

at V_R= 240 V, T_j= 150 C

100

µA

I_R

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 100 µA

V_(BR)R

C_T

350

Total Capacitance

at V_R= 0 , f = 1 MHz

Reverse Recovery Time

at I_F= I_R= 30 mA , i_rr= 0.1 I_R, R_L= 100 Ω

t_rr

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 18/12/2007

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