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MMBD3004S-TP-HF

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	279K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 350V V(RRM), Silicon, HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3

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MMBD3004S-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.62	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.225 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.41 W
最大重复峰值反向电压：	350 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MMBD3004S-TP-HF 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

MMBD3004S

ꢀ

Micro Commercial Components

)HDWXUHVꢀ

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

410 mW High Voltage

Switching Diode

240 Voltsꢀ

•

Fast Switching Speed

•

Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion

High Conductance

High Reverse Breakdown Voltage Rating

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

SOT-23

0D[LPXPꢀ5DWLQJV

Storage Temperature: -55^oC to +150^oC

Operating Temperature: -55^oC to +150^oC

Typical Thermal Resistance: 310^oC/W Junction to Ambient

Rating

Symbol

Value

Unit

Continuous Reverse Voltage

V_R

240

Peak Repetitive Reverse Voltage

RMS Reverse Voltage

V_RRM

V_R(RMS)

I_F

350

212

225

625

Continuous Forward Current

Repetitive Peak Forward Current

Forward Surge Current t_P=1us

Forward Surge Current t_P=1s

Total Power Dissipation @T_A=25°C

DIMENSIONS

I_FRM

I_FSM

P_D

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.104

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

410

.100

1.12

.180

.51

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

.085

.37

Ratings

Symbol

Value

Test Condition

Suggested Solder

Pad Layout

0.87 V

1.0 V

F = 20mA

F = 100mA

F = 200mA

Maximum Forward

Voltage

V_F

.031

.800

1.25

Maximum Reverse

Current

100 nA

100 A

V_R=240V

.035

.900

I_R

V_(BR)

C_T

V_R=240V,T_J=150^oC

.079

2.000

Minimum Reverse

Breakdown Voltage

inches

350 V

5.0 pF

50 ns

I_R=150 A

Maximum Junction

Capacitance

V_R=0,f=1MHz

.037

.950

Maximum Reverse

Recovery Time

I_F=I_R=30mA, Rec. to

I_RR=0.1XI_R, R_L100

.037

.950

t_rr

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: C

2013/01/01

12 3

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MMBD301	DAESAN	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Diode
MMBD301	ONSEMI	获取价格	DIODE SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AA, CASE 318-02, 3 PIN, Microwave Mixer Diode
MMBD301	FAIRCHILD	获取价格	Schottky Barrier Diode
MMBD301	MCC	获取价格	30 Volts Schottky Barrier Diodes
MMBD301	LGE	获取价格	小信号肖特基二极管
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