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MMBD301

更新时间： 2024-09-26 04:39:31

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强茂 - PANJIT		肖特基二极管光电二极管
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描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE

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MMBD301 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.3
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.2 W
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MMBD301 数据手册

DATA SHEET

MMBD301

SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE

Unit: inch (mm)

SOT- 23

200 mWatts

POWER

30 Volts

VOLTAGE

FEATURES

• Low Capacitance: 1.5 pF (Max) at V_R=15V

• Very Low V_F: 0.36V (Typ) at I_F= 1mA

• Extremely Fast Switching Speed

.119(3.00)

.110(2.80)

MECHANICALDATA

.083(2.10)

.066(1.70)

.006(.15)

.002(.05)

Case: SOT-23 plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Approx Weight: 0.008 gram

.006(.15)MAX

.020(.50)

.013(.35)

Marking: 301

ABSOLUTE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

Value

UNIT

Maximum Reverse Voltage

V_R

Peak Reverse Voltage

V^RRM

I_F

Maximum Forward Current

0.2

THERMALCHARACTERISTICS

PARAMETER

Power Dissipation (Note 1)

SYMBOL

Value

200

UNIT

^OC/ W

^OC

Ptot

RθJ A

Thermal Resistance , Junction to Ambient (Note 1)

Junction Temperature

556

-55 to 125

-55 to 150

Storage Temperature

Tstg

^OC

Note

SINGLE

1. FR-5 Board = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

STAD-SEP.29.2003

PAGE . 1

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBD301_13	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE
MMBD301L	LRC	获取价格	Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MMBD301L	ONSEMI	获取价格	SILICON HOT-CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
MMBD301LT1	ONSEMI	获取价格	SILICON HOT-CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
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MMBD301LT1G	ONSEMI	获取价格	Silicon Hot−Carrier Diodes SCHOTTKY Barrier Diodes
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